金刚石热沉片，，，，高功率器件散热的行家！！
！！

通常你看到的超大功率器件依然能有条不紊的进行工作，，，，你首先想到的是什么？？？是零件之间高精度的衔接，，
，亦或是各个主次级系统明确的分工合作，，，，还是工作任务的难易程度
？？？据统计，，，，由热量集中引起的功率器件故障占总故障率的55%
，
，，，产品散热设计对产品的可靠性有着至关重要的影响。。。半导体器件体积小、、、寿命长，，除了通信领域，
，也可以在雷达、、、
、测声
、、医疗中应用，，但研究发现，，散热影响半导体器件的寿命和使用情况。
。除此之外，，CPU温度过高会造成电脑自动关机、、、蓝屏
、、、、死机、、、、电脑卡顿等情况，，，，长期温度过高，
，，影响其使用寿命。。。无论是大功率器件，，，
，还是电力电子元件，，，热管理都尤为重要。
。

金刚石的带隙宽、、、、热导率高、
、、
、击穿场强高、、载流子迁移率高、、、、耐高温、
、
、抗酸碱、、、、抗腐蚀、、抗辐照
，，优越的性能使其在高功率、、、
、高频、、、、高温领域等方面发挥重要作用
，，，，其经典的应用场景包括金刚石热管理材料。。。

金刚石具备的优势如下：

极高的热传导：热导率2200W/m.K，，室温下金刚石具有最高的热导率。。

极高的介质击穿特性
：击穿电场为107V/cm
，，
，，是GaAs的50倍，
，，GaN的2倍，
，SiC的2.5倍。。。。

极高的功率容量
：容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上；特别适合制作大功率电子器件。。。

低的介电常数：介电常数为5.7，，约为GaAs的1/2，，比InP的一半还小
。
。。

高饱和载流子速度：饱和载流子速度是GaAs、、、、Si或InP的12.7倍，
，
，，在电场强度增加时也维持高速率
。。
。

高载流子迁移率：电子迁移率为4500c㎡/（V·s），，，，高于绝大多数材料
，，，适合制作高频电子器件。。。
。

图1   金刚石与其他散热材料的特性

金刚石热沉可有效解决散热问题，，，并可在相同尺寸下提升高功率器件的性能。。。。目前，，CVD 金刚石热沉片可通过以下三种方式广泛整合到散热解决方案中：

1.      独立单个金刚石单元通过金属化和焊接进行接合，，，（例如采用Ti/Pt/Au溅射沉积金属和AuSn 共晶焊接）
；

2.      预制晶片支撑多个器件
，，，使器件生产商能够大批量处理晶片（比如金属化和贴装）。。此类附加步骤完成后，，这些晶片可作为单个子组件的基板。。

3.      直接采用金刚石镀膜。。

三耳重工采用最先进的 MPCVD装置
，，，制备大面积高品质金刚石膜
，，采用研磨抛光专用设备，，，，使CVD金刚石生长面表面粗糙度 Ra < 1 nm，，现有核心产品晶圆级金刚石、
、、、金刚石热沉片
、、、金刚石基氮化镓外延片
、
、、金刚石基氮化铝薄膜等。
。其中金刚石热沉片热导率1000-2000W/m.k
。
。在这里，，，，我们将会为您提供最优质的热管理服务。
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