氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，，，，具有很多优良的性质，，
，
，如其禁带宽度高达6.2eV，，，，同时具有高击穿场强
、、、高饱和电子迁移率、、高化学和热稳定性
，，及高导热、、、、抗辐射等优异性能，
，因此氮化铝是紫外／深紫外LED
、、紫外LD最佳衬底材料，，也是高功率、、高频电子器件理想衬底材料。
。。。此外，
，，氮化铝具有优良的压电性、、
、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数，，，，是GHz级声表面波器件的优选压电材料
。
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氮化铝的优势

• 直接带隙，
，禁带宽度6.2eV，，
，，是重要的深紫外和紫外发光材料

• 高击穿电场强度、、高热导率、、高绝缘性、
、低介电常数
、、、
、低热膨胀系数、
、
、机械性能好、、、耐腐蚀
，，
，
，常用于高温高频高功率器件

• 非常好的压电性能（特别是沿C轴方向）
，，是目前制备各种传感器
、、、驱动器以及滤波器的最佳材料之一

• 与GaN晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数，
，，是异质外延生长GaN基光电器件的优选衬底材料

氮化铝具备优异的物理性能：

• 原子间以共价键相结合，，化学稳定性好、、、、熔点高；

• 机械强度高、、电绝缘性能佳
，，是一种压电和介电材料；

• 晶体薄膜硬度高，，，可作为耐磨涂层；

• 高电阻率、、较低的漏电流以及大的击穿场强，，
，使得其成为微电子器件中绝缘埋层材料的最佳选择之一；

• 制备工艺与CMOS兼容，，，，可以和其他器件集成到同一芯片上；

• 具备非铁电材料中最好的声波传播速度，，，且拥有无与伦比的压电响应，，
，可用于制作高性能的声表器件；

• 是一种宽禁带材料，
，，，并具有直接带隙，，，是重要的蓝光和紫外发光材料
；

• 沿c轴取向具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能，，，传声速度快，，是所有无机非铁性压电材料中最高的。。

三耳重工成功在硅衬底上制备高质量氮化铝（AlN）薄膜，，XRD（0002）摇摆曲线半峰宽＜0.9°，，，生长面表面粗糙度Ra＜1.5nm（氮化铝厚度200nm），，高质量氮化铝薄膜助力氮化镓（GaN)实现大尺寸
、、、高质量、、、低成本制备。。
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