三耳重工制备的高质量AlN on Sapphire（蓝宝石基氮化铝），，
，XRD（0002）摇摆曲线半峰宽<0.05°,生长面表面粗糙度Ra<1.2nm（氮化铝厚度200nm），，，不仅实现了产品质量的有效管控，，大幅度提升产品品质
，，，，确保产品稳定性，，还大大降低了产品成本和生产周期
。。。经客户验证表明，，，，三耳重工的高品质AlN on Sapphire能够大幅提升UVC LED产品良率和稳定性，，助力产品性能提升。
。。。

氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，，，，具有很多优良的性质
，，，如其禁带宽度高达6.2eV，，同时具有高击穿场强
、、、、高饱和电子迁移率、、、、高化学和热稳定性，，及高导热、
、
、、抗辐射等优异性能
，，，
，因此氮化铝是紫外／深紫外LED、、、
、紫外LD最佳衬底材料
，
，也是高功率、、、、高频电子器件理想衬底材料。
。此外
，，
，，氮化铝具有优良的压电性
、、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数，，，是GHz级声表面波器件的优选压电材料。。。

氮化铝的优势

• 直接带隙，，禁带宽度6.2eV，，
，，是重要的深紫外和紫外发光材料

• 高击穿电场强度、
、高热导率、、、高绝缘性、、、、低介电常数、、低热膨胀系数、
、机械性能好、、、耐腐蚀，，常用于高温高频高功率器件

• 非常好的压电性能（特别是沿C轴方向），，是目前制备各种传感器
、、、、驱动器以及滤波器的最佳材料之一

• 与GaN晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数，
，，，是异质外延生长GaN基光电器件的优选衬底材料

氮化铝具备优异的物理性能
：

• 原子间以共价键相结合，，，，化学稳定性好、
、、、熔点高；

• 机械强度高、、
、电绝缘性能佳，，，是一种压电和介电材料；

• 晶体薄膜硬度高
，
，，可作为耐磨涂层；

• 高电阻率
、、、、较低的漏电流以及大的击穿场强，，使得其成为微电子器件中绝缘埋层材料的最佳选择之一；

• 制备工艺与CMOS兼容，，
，可以和其他器件集成到同一芯片上；

• 具备非铁电材料中最好的声波传播速度，，，
，且拥有无与伦比的压电响应
，，可用于制作高性能的声表器件
；

• 是一种宽禁带材料，
，并具有直接带隙，，
，，是重要的蓝光和紫外发光材料；

• 沿c轴取向具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能，，传声速度快，
，是所有无机非铁性压电材料中最高的
。。。
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