三耳重工全球首创，，，，创新研发金刚石基氮化铝
，，，，XRD（0002）摇摆曲线半峰宽＜3°, 金刚石超高热导率（室温下热导率可达2000W/m.K）,生长面表面粗糙度Ra＜2nm（氮化铝厚度200nm），，，助力氮化铝崭新应用。。。 

氮化铝是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，，
，，具有很多优良的性质
，，如其禁带宽度高达6.2eV
，，，同时具有高击穿场强、
、、高饱和电子迁移率、
、、、高化学和热稳定性，，及高导热、、、抗辐射等优异性能，，
，，因此氮化铝是紫外／深紫外LED、、
、、紫外LD最佳衬底材料，，，也是高功率
、、、、高频电子器件理想衬底材料。。。。此外，
，氮化铝具有优良的压电性、、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数，
，，，是GHz级声表面波器件的优选压电材料
。。
。。

氮化铝的优势

• 直接带隙，，禁带宽度6.2eV，，，，是重要的深紫外和紫外发光材料

• 高击穿电场强度、、、高热导率、
、高绝缘性、、低介电常数、
、、低热膨胀系数、
、机械性能好、、
、耐腐蚀，，
，常用于高温高频高功率器件

• 非常好的压电性能（特别是沿C轴方向），，是目前制备各种传感器、、驱动器以及滤波器的最佳材料之一

• 与GaN晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数，，，是异质外延生长GaN基光电器件的优选衬底材料

氮化铝具备优异的物理性能：

• 原子间以共价键相结合，，化学稳定性好、
、
、、熔点高；

• 机械强度高、
、电绝缘性能佳，，，，是一种压电和介电材料
；

• 晶体薄膜硬度高，，，，可作为耐磨涂层
；

• 高电阻率、、
、较低的漏电流以及大的击穿场强，，使得其成为微电子器件中绝缘埋层材料的最佳选择之一；

• 制备工艺与CMOS兼容，
，，可以和其他器件集成到同一芯片上；

• 具备非铁电材料中最好的声波传播速度
，，，且拥有无与伦比的压电响应，，，
，可用于制作高性能的声表器件；

• 是一种宽禁带材料，，，并具有直接带隙
，，，是重要的蓝光和紫外发光材料；

• 沿c轴取向具有非常好的压电性和声表面波高速传播性能，，传声速度快，，
，是所有无机非铁性压电材料中最高的。。