金刚石热沉片在功率放大器中的应用

金刚石的热导率高达 2 000 W/ ( m·K) ，，是 自然界中热导率最高的材料
，，，，因此金刚石逐渐成为 GaN 器件封装材料的首选。
。近年来金刚石作为 GaN 器件的热沉材料和衬底材料，，，，其技术和应用均取得较大进展。。。。传统材料的热导率已无法满足高功率密度芯片的散热需求，，新型高热导率材料的开发和应用成为技术关键。
。在 GaN 基 HEMT 器件上添加金刚石作为衬底材料，
，，实验结果表明，，，添加金刚石后有效降低了器件沟道温度，，
，，提高了器件饱和漏源电流。
。。

放大器的封装结构模型如图 1 所示
，，模型主要包括两个 GaN 功率芯片、、、Au80Sn20 焊接层
、、、、载片
、、、印制电路板 ( PCB) 、、In80Pb15Ag5 焊接层 和盒体。。。。

为了降低芯片的工作结温，，基本理念是提高芯 片有源区近端封装体的热导率，，通过热传导的方式 将热量迅速传输出去，，避免热累积效应引起的局部 温度升高
。。。。图 2 为传热模型示意图，，可以看出，
，
，，距 离芯片最近的封装结构为载片
，，，，因此对超高热导率 的载片材料的研制具有重要意义。。

GaN 功率器件常用的载片材料有钨铜 ( WCu15 ) 、、钼 铜 ( MoCu30 ) 、、 无 氧 铜 ( TU1 ) 、、、、 铜－钼铜－铜多层复合材料 ( Cu-MoCu-Cu，，，CPC) 等
，，
，传统材料的热导率均较低，，
，，GaN 功率放大器 最常用的载片材料为钼铜合金 ( MoCu30) ，，，其热导 率为 185 W/ ( m·K) 。
。采用高热导率的金刚石作为载片，
，，，由于金刚石本身是绝缘材料，，
，利用通孔电镀方式实现导通接地，，同时解决了金刚石表面可焊性镀 层的制备问题，，，，金刚石载片与 Au80Sn20 焊料润湿 性良好，
，
，空洞率控制在 5%以内。
。。

通过热仿真，，
，采用 MoCu30 载片的芯片结温为 159. 17 ℃，，采用金刚石 载片 的 芯 片 结 温 为 126. 91 ℃，，
，，金 刚 石 载 片 较 MoCu30 载片封装的放大器结温下降了 32. 26 ℃。。。。

金刚石作为新一代电子封装材料，，
，，受到广泛重 视，
，，
，是最有潜力的封装材料之一。
。本文通过有限元 仿真与红外测试相结合的方法，，分析了采用常规载 片材料 MoCu30 与新型载片材料金刚石载片封装的 功率放大器结温
。。。结果显示，，，金刚石载片封装的放大器结温降低了 30. 01 ℃，，约 18. 69%。。。。进一步利 用有限元仿真对金刚石与其他 4 种材料在不同热耗 条件下的散热效果进行了对比，，，结果表明金刚石散 热效果最好，，
，可满足近 100 W 热耗的散热需求，，， 这对延长芯片使用寿命，，
，提高功率器件热可靠性具 有重要意义。。。。

当器件温度上升时，
，
，器件特性如漏源电流、、、增益、、、输出功率和寿命等会出现退化，，，，甚 至失效
。。研究表明，，，结温每升高 10 ～ 12 ℃，，，器件 的寿命及可靠性会降低 50%，，，散热问题已经成为限制 GaN 功率器件发展的主要瓶颈之一
，，为解决此问题，，，，提出了多种降低器件温度的散热方式，
，， 其中新型电子封装材料的研究开发成为解决 GaN 功率器件散热问题的技术关键。。三耳重工金刚石热沉片的热导率1000- 2200 W/ ( m·K) ，
，是 GaN 器件封装材料的首选。。。。欢迎进行详细咨询和洽谈。。。。